- Автор: Гласове
- 19 Авг 2022
- 378
- 2
Samsung Electronics положи основите на ново съоръжение за изследване и разработка на полупроводници в Гехеунг, Република Корея. До 2028 г. компанията ще инвестира 20 трилиона вона (15 милиарда щ. долара) в новия център. В него ще се провеждат най-съвременни изследвания на следващото поколение памети и други полупроводници, както и ще се разработват нови революционни технологии.
Забележително е, че новите сгради с площ 109 000 м2 ще бъдат построени в непосредствена близост до кампуса на подразделението DS в Хвасон, където през 1992 г. е разработена първата в света 64-милиметрова DRAM памет, с което се поставя началото на лидерството на компанията в областта на полупроводниците.
"Новото ни модерно съоръжение за научноизследователска и развойна дейност ще бъде център за иновации, където най-добрите научни таланти от цял свят ще могат да идват и да се развиват", заяви президентът на компанията Кие Хьон Кюн, който ръководи и подразделението за решения за устройства (DS). „Очакваме, че това ново начало ще положи основите на устойчив растеж в нашия бизнес с полупроводници.“
Не е тайна, че границите на мащабиране на полупроводниците са близо до теоретичния им предел в рамките на разработените технологични процеси. Това лято Samsung стана първата компания, която масово произвежда чипове с транзистори с напълно затворени канали GAA (Gate All Around). Със създаването на новия център за научноизследователска и развойна дейност Samsung Electronics цели да разшири още повече границите на мащабирането на полупроводници и да засили конкурентното си предимство в областта на полупроводниковите технологии.
